Wekî ku em hemî pê dizanin, rêbazên ku bi gelemperî di xêzkirina valahiya de têne bikar anîn veguheztina valahiya û avêtina îyonê ne.Cûdahiya di navbera pêlava veguheztinê û pêlava şuştinê de Pir çi yegel pirsên wiha hene.Werin em cûdahiya di navbera xêzkirina veguheztinê û pêlava rijandinê de bi we re parve bikin
Fîlma veguheztina valahiya ew e ku bi germkirina berxwedanê an tîrêjên elektronîkî û gulebarana lazerê li hawîrdorek ku pileyek valahiya wê ji 10-2Pa ne kêmtir be, daneya ku were veguheztinê heya germahiyek diyarkirî germ dike, da ku enerjiya lerizîna termal a molekulan an atomên di daneyan de ji enerjiya girêdanê ya rûxê zêdetir dibe, ji ber vê yekê gelek molekul an atom dizivirin an zêde dibin, û rasterast wan li ser substratê datînin da ku fîlimek çêbikin.Kişandina avêtina îyonê tevgera berteka bilind a îyonên erênî yên ku ji hêla vekêşana gazê ve di bin bandora qada elektrîkê de têne hilberandin bikar tîne da ku armancê wekî katodê bombebaran bike, da ku atom an molekulên di armancê de birevin û li ser rûyê perçeya xebatê ya birêkûpêk bihêlin da ku çêbikin. filmê pêwîst.
Rêbaza ku herî zêde tê bikar anîn ji bo kişandina veguheztina valahiya rêbaza germkirina berxwedanê ye.Feydeyên wê avahiya sade ya çavkaniya germkirinê, lêçûnek kêm û operasyona rehet e.Dezawantajên wê ev in ku ew ji bo metalên rezîl û medyaya berxwedêr a germahiya bilind ne maqûl e.Germkirina tîrêjê elektron û germkirina lazerê dikare dezawantajên germkirina berxwedanê derbas bike.Di germkirina tîrêjê elektronê de, tîrêjê elektronîkî ya baldar tê bikar anîn da ku rasterast daneyên şêlandî germ bike, û enerjiya kînetîk a tîrêjê elektronê dibe enerjiya germê da ku veguheztina daneyê pêk bîne.Germkirina lazerê lazera hêza bilind wekî çavkaniya germkirinê bikar tîne, lê ji ber lêçûna bilind a lazera hêza bilind, ew tenê dikare di hejmarek hindik laboratuarên lêkolînê de were bikar anîn.
Hişmendiya şûştinê ji jêhatîbûna veguheztina valahiyê cûda ye.Sputtering tê wateya diyardeya ku keriyên barkirî li ser rûyê (hedefa) laş bombe dikin, ji ber vê yekê atom an molekulên hişk ji rûerdê derdikevin.Piraniya keriyên ku jê derdikevin atomî ne, ku bi gelemperî jê re atomên sputtered tê gotin.Parçeyên ku ji bo gulebaranê têne bikar anîn dikarin elektron, îyon an jî perçeyên bêalî bin.Ji ber ku îyon hêsan e ku di bin qada elektrîkê de enerjiya kinetîk a pêwîst bidest bixin, îyon bi piranî wekî perçeyên gulebaranê têne hilbijartin.
Pêvajoya rijandinê li ser bingeha dakêşana şewqê ye, ango îyonên rijandinê ji rijandina gazê têne.Zehmetiyên cihêreng rijandin xwedan rêbazên cûda yên dakêşana ronahiyê ne.Sputtering dioda DC vekêşana şewqa DC bikar tîne;Sputterkirina triodê vekêşana şewqê ye ku ji hêla katoda germ ve tê piştgirî kirin;Sputterkirina RF vekêşana şewqa RF bikar tîne;Sputterkirina Magnetronê vekêşana şewqê ye ku ji hêla zeviyek magnetîkî ya lûleyê ve tê kontrol kirin.
Li gorî pêlava veguheztina valahiyê, pêlava şilandinê gelek avantajên xwe hene.Ger maddeyek were rijandin, nemaze hêman û pêkhateyên xwedî xala helînê ya bilind û zexta buharê ya kêm;Adheziyona di navbera fîlima şilandî û substratê de baş e;Dendika fîlimê ya bilind;Kûrahiya fîlimê dikare were kontrol kirin û dubarebûn baş e.Kêmasî ev e ku amûr tevlihev e û hewceyê amûrên voltaja bilind e.
Digel vê yekê, berhevoka rêbaza veguheztinê û rêbaza şilandinê îyonek e.Feydeyên vê rêbazê girêdana xurt a di navbera fîlim û substratê de, rêjeya hilweşandina bilind û tîrêjiya bilind a fîlimê ne.
Dema şandinê: Gulan-09-2022