Pêdivî ye ku gelek bikarhêneran li ser hilbera armanca sputtering bihîstibin, lê divê prensîba armanca sputtering bi nisbî nenas be.Niha, edîtorêMateryalên Taybet ên Dewlemend (RSM) prensîbên şûştina magnetronê yên armanca sputterkirinê parve dike.
Zeviyek magnetîkî ya ortogonal û zeviyek elektrîkê di navbera elektroda hedefê ya qelandî (katod) û anodê de tê zêdekirin, gaza bêhêz (bi gelemperî gaza Ar) tê dagirtin di jûreya valahiya bilind de, magneta daîmî qada magnetîkî ya 250 ~ 350 Gauss çêdike. rûyê daneya armancê, û qada elektromagnetîk a ortogonal bi qada elektrîkê ya voltaja bilind pêk tê.
Di bin bandora qada elektrîkê de, gaza Ar di îyon û elektronan de îyonîze dibe.Hin voltaja bilind a neyînî li armancê tê zêdekirin.Bandora qada magnetîkî ya li ser elektronên ku ji stûna armancê derdikevin û îhtîmala ionîzasyonê ya gaza xebitandinê zêde dibe, li nêzî katodê plazmayek zencîra bilind çêdike.Di bin bandora hêza Lorentz de, îyonên Ar bi lez û bez xwe digihînin rûxara armancê û bi leza pir mezin rûyê armancê bombebaran dikin. ji bo depokirina fîlman.
Sputtering Magnetron bi gelemperî li du celeb têne dabeş kirin: Sputtering Tributary û RF sputtering.Prensîba alavên şûştina tîrêjê hêsan e, û rêjeya wê di heman demê de dema ku metal dirijîne zû ye.Sputtering RF bi berfirehî tê bikar anîn.Ji bilî rijandina maddeyên gêjker, ew dikare maddeyên ne-rêveber jî birijîne.Di heman demê de, ew rijandina reaktîf jî dike da ku materyalên oxides, nîtrîd, karbîd û pêkhateyên din amade bike.Ger frekansa RF-ê zêde bibe, ew ê bibe pîvaza plazmaya mîkro.Naha, pîvazkirina plazmaya mîkropêla resonansê ya elektron cyclotron (ECR) bi gelemperî tê bikar anîn.
Dema şandinê: Gulan-31-2022