Polysilicon materyalek armancek girîng a sputterkirinê ye.Bikaranîna rêbaza şûştina magnetronê ji bo amadekirina SiO2 û fîlimên din ên nazik dikare bike ku materyalê matrixê xwedan berxwedana optîkî, dielektrîkî û korozyonê çêtir be, ku bi berfirehî di ekrana desta, optîk û pîşesaziyên din de tê bikar anîn.
Pêvajoya avêtina krîstalên dirêj ev e ku bi kontrolkirina rastkirina germahiya germahiyê li qada germ a firna îngotê û belavbûna germê ya materyalê îzolekirina termalê, bi rêkûpêkkirina hişkbûna rêwerz a silicona şil ji binî ber bi jor ve gav bi gav têgihiştin. leza krîstalên dirêj ên hişkbûnê 0,8 ~ 1,2 cm / h e.Di heman demê de, di pêvajoya zexmkirina rêwerzan de, bandora veqetandina hêmanên metal ên di materyalên silicon de dikare were fêhm kirin, piraniya hêmanên metal dikarin werin paqij kirin, û avahiyek tovên siliconê ya polîkrîstalînek yekgirtî dikare were çêkirin.
Her weha pêdivî ye ku avêtina polysilicon di pêvajoya hilberînê de bi mebest were dopîng kirin, da ku guheztina giraniya nepaqijiyên pejirandî di helîna silicon de.Dopanta sereke ya polysilicon-a castê ya p-yê di pîşesaziyê de alloya masterê boronê silicon e, ku tê de naveroka boron bi qasî 0,025%.Mîqdara dopîngê ji hêla berxwedaniya armancê ya silicon wafer ve tê destnîşankirin.Berxwedêriya herî baş 0,02 ~ 0,05 Ω • cm e, û berhevoka boronê ya têkildar bi qasî 2 × 1014cm-3 e. Lêbelê, hevbera veqetandinê ya boronê di silicon de 0,8 e, ku dê di pêvajoya hişkbûna rênîşandanê de bandorek veqetandinê nîşan bide, ku e, hêmana boron di gradient di arasteyî vertical yên mêşhingiv belav, û berxwedêr gav bi gav ji binî ber bi jor ji ingot kêm dibe.
Dema şandinê: 26-ê Tîrmeh-2022